Atlanta (EUA) - A memória não volátil pode correr mais rápido computador no futuro, sem vários minutos de inicialização.Para estes MRAM chamados, muitos conceitos estão sendo testados. Uma abordagem completamente nova acompanhar pesquisadores norte-americanos, cuja memória pode ser descrito com movimentos mecânicos com tensões elétricas, ao invés de diretamente sobre os dados.Tais processos eletro-mecânico pode ser usado especialmente no nano-robótica, os pesquisadores relatam na revista "Nano Letters". "Este switch primeira resistência forma piezoelétrica modulada é baseada em nanofios de óxido de zinco", disse Zhong Lin Wang da Georgia Institute of Technology em Atlanta. Apenas ligeira curvaturas rico com esse material para produzir correntes elétricas. Para o primeiro protótipo de um tal de armazenamento de dados pode crescer Wang e seus colegas agora em um processo de plasma, um nanofio de óxido de zinco fina entre dois contatos de ouro. Depositados em um su
Noticias sobre ciência, tecnologia e atualidades.